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等離子體化學氣相沉積I型

發布時間:2017-11-16  瀏覽次數:1470

商品規格:PECVD等離子體化學氣相沉積
商品簡述:PECVD 等離子體化學氣相沉積該產品具有固態等離子源、分開式反應氣體進氣系統,動態襯底溫控,各方面控制真空系統,采用集中現場控制總線技術的nobody控制軟件,PECVD 等離子體化學氣沉積以及友好用戶操作界面來操作。

商品用途:適用于室溫至1200℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態或氣態源沉積其它材料,PECVD 等離子體化學氣相沉積尤其適合于材料上保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。

PECVD 等離子體化學氣相沉積技術參數:

型  號

流量控制

清洗鍍膜RF功率

管徑

最大式樣尺寸 in

加熱區

最高

溫度

外形尺寸mm

功率

重 量

 

 

 

(外)mm

 

長度mm

 

 

Kg(約)

NBD-PECVD1200-80ITD2Z

兩路質量流量計

20~200W可調

Φ60Φ80

2~3″

200

1200℃

1300

1260

820

AC220V

4kw

360

*可非標定制,歡迎來電垂詢!

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